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Product
GaN-Beta 200
GaN HEMT 패키징용 고밀도 소결 페이스트
GaN-Beta 200
사양
| 열전도율 | ≥280 W/(m·K) |
| 소결 온도 | 180°C / 3 MPa |
| 점도 | 100–150 Pa·s |
| 은 함량 | 85 wt% |
| 접합 면적 | Up to 600 mm² |
특장점
- 무가압 소결 가능
- 초저공극률 (<1.5%)
- 내습성 강화 코팅
- 고전력 밀도 대응
응용 분야
5G 기지국 전력증폭기레이더 시스템위성 통신
Product
GaN HEMT 패키징용 고밀도 소결 페이스트
GaN-Beta 200
| 열전도율 | ≥280 W/(m·K) |
| 소결 온도 | 180°C / 3 MPa |
| 점도 | 100–150 Pa·s |
| 은 함량 | 85 wt% |
| 접합 면적 | Up to 600 mm² |