Technology
접합소재 기술
SiC/GaN 전력반도체 패키징을 위한 독자 기술
기술 개요
전력반도체 패키지에서 다이(Die)와 기판 사이의 접합은 전기적 도통, 열 방출, 기계적 접착의 세 가지 기능을 동시에 수행합니다. 당사의 저온 소결 은 나노 페이스트는 기존 주석-은 솔더 대비 우수한 내열성과 열전도 특성을 제공합니다.
나노 입자 크기20–100 nm
소결 온도180–220°C
열전도율≥250 W/(m·K)
열팽창계수18–20 ppm/K
SiC/GaN 접합 구조
SiC/GaN 다이
전력반도체 칩
소결 접합층 (당사 제품)
저온 소결 은 나노 페이스트
DBC/AMB 기판
세라믹 절연 기판
히트싱크
방열 구조체
기존 솔더 vs. 저온 소결 비교
기존 솔더 대비 월등한 열적·전기적 성능
| 특성 | 기존 SnAg 솔더 | 당사 소결 페이스트 |
|---|---|---|
| 열전도율 (W/m·K) | ~58 | ≥250 |
| 융점 (°C) | 221 | 960 (소결 후) |
| 공정 온도 (°C) | 240–260 | 180–220 |
| 열피로 수명 (사이클) | ~3,000 | >30,000 |
| RoHS 대응 | ○ | ○ |
제조 공정
1
은 나노 입자 합성
2
페이스트 배합
3
스크린 인쇄 / 디스펜싱
4
저온 소결 (180~220°C)
5
품질 검사 (X-Ray, SAT)
IP
지적재산권
국내 특허 12건, PCT 출원 4건 보유. 은 나노 입자 표면 처리 기술 및 페이스트 배합 기술에 관한 핵심 특허 포트폴리오.
12
국내 특허
4
PCT 출원
4
국가 출원
2026
출원 진행 중